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| 1 | 基于BiCMOS工艺的180GHz信号产生、调制与探测电路显示文摘在常规SiGe工艺下,设计了太赫兹频段的180 GHz信号产生、调制与探测电路。正交振荡器产生了四路相位相差90°的正弦信号,每路频率为45 GHz,线性叠加之后频率可达到180 GHz,开关交叉耦合结构在提高振荡器频率的同时,改善了振荡器的相位噪声;采用控制差分尾管电流的跨导切换式的调制方式,对180 GHz信号进行了10 MHz的幅度调制,输出功率为-27 dBm;探测电路主要为肖特基势垒二极管直接检波电路,实现对已调制的180 GHz信号解调。采用IBM 180 nm SiGe BiCMOS工艺进行流片验证,芯片面积为1 000μm×450μm,测试结果表明探测器能够成功解调太赫兹信号。 | 苏秋杰 毛陆虹 闫冬 张世林 谢生 | 2014 | 半导体技术2014，39，1： | 0 |
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