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| 1 | 内氧化Cu/Al_2O_3界面热力学与杂质效应显示文摘基于第一性原理方法,研究温度、原子化学配比、Al活度、O活度和杂质偏聚对内氧化Cu/Al2O3界面的影响作用。计算得到的界面相图及相应能量学结果表明:界面平衡相结构随制备气氛的变化而变化;富O相界面的结合强度最高,富Al相界面的结合强度其次,它们均约3倍于理想化学配比相界面的结合强度;杂质S对界面的危害性明显,对富Al相和理想配比相界面具有强烈的偏聚能力,且严重削弱界面强度(约可达65%),并降低氧化铝颗粒尺寸的稳定性,但S不能向富O相界面偏聚;相较于S,另一种杂质P向富Al相和理想配比相界面的偏聚能力不强,偏聚后对界面的危害性也较S弱。但P能向富O相界面偏聚,使界面强度严重降低。 | 江勇 蓝国强 王怡人 周松松 | 2013 | 中国有色金属学报2013，23，11： | 4 |
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