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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	氮化镓晶体的氨热法生长进展显示文摘GaN作为性能最为优异的第三代半导体材料,其高质量的衬底材料的研发是目前乃至近5年的研究热点,而最好的衬底材料即为GaN体单晶。在为数不多的GaN体单晶的几种生长方法中,氨热法被普遍认为是生长GaN体单晶的一种很有前途的方法。本文主要论述了在不同矿化剂生长条件下GaN晶体的氨热法生长进展,指出了存在的问题,并给出了一些解决办法。	何小玲张昌龙周海涛左艳彬覃世杰王金亮	2013	人工晶体学报2013，42，7：	0

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