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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	p-CuSCN/n-Si异质结的光电特性研究显示文摘采用成本廉价的连续离子层沉积法在n型Si衬底上沉积β相的六方晶体结构的CuSCN薄膜制备了p-CuSCN/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V和C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明,CuSCN/n-Si异质结存在良好的整流特性;由于在p-CuSCN/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大的缘故,在正向电压,无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。	熊超朱锡芳陈磊袁洪春潘雪涛周祥才	2013	半导体技术2013，38，6：	0

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