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时间 1989 - 2010 学科选择学科
题名/关键词 模糊
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1CMOS器件用金属栅材料的研究进展显示文摘传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅。本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点。最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题。蔡苇 符春林 邓小玲 程文德 2008金属功能材料2008，15，3：1
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