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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	p型氮化镓不同掺杂方法研究显示文摘采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN∶Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌。	邢艳辉韩军邓军刘建平牛南辉李彤沈光地	2007	功能材料2007，38，7：	4

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