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| 1 | 电沉积法制备CuInSe_2薄膜的组成与形貌显示文摘采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6~-0.8 V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440~610℃范围内;在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中,通过电沉积并在500℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜;沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加,晶型完善,且杂相减少;随着电解质浓度的增加,电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好,颗粒变得粗壮,致密性也有所改善;电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大,当沉积电位为-0.7和-0.8 V时,铜铟摩尔比约为1较为理想,且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。 | 张治安 刘芳洋 吕莹 赖延清 李劼 刘业翔 | 2007 | 中国有色金属学报2007，17，4： | 10 |
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