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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	不同择优取向的ZnO薄膜的制备显示文摘采用射频磁控溅射法在载玻片上制备了不同择优取向的ZnO薄膜。结果表明,溅射功率在100~380W范围内制备的ZnO薄膜呈(101)择优取向性,当功率上升至550W时,薄膜则为(100)取向;基片温度升高有利于(002)面的生长,当基片温度为250℃时,在溅射功率为200W时即可制得(002)面择优取向的薄膜。热处理温度的提高有助于(100)和(101)面的择优取向,而对(002)面的取向不利。同时,该文对ZnO薄膜不同择优取向生长的机制进行了探讨。	陆液李勇强朱兴文	2007	压电与声光2007，29，2：	6

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