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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制显示文摘在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制。	周春锋林健郭鑫吴元庆张亮赖占平	2007	半导体技术2007，32，4：	4

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