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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	SiO_2/SiC界面陷阱电荷近似计算的局限显示文摘从理论上分析了近似计算所引起的SiC基MOSFET两个重要参数阈值电压和沟道电流的误差。结果显示,在很多情况下近似计算都会带来很大的误差(>5%),尤其对于沟道电流,在大部分情况下误差很大,只是在少数条件下误差较小(<5%)。因此,近似计算SiO2/SiC界面陷阱电荷不尽合理,应利用电子在界面态上的分布函数进行准确计算。	戴振清杨克武杨瑞霞	2007	半导体技术2007，32，4：	0

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