维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

共被期刊论文引用了1次 您的检索式：您选中1篇文献正在查看引证文献汇总

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究显示文摘基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1 s和大于10 s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究。	罗谦杜江锋靳翀龙飞周伟夏建新杨谟华	2006	微电子学2006，36，6：	0

返回顶部每页显示：

共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费