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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	采用石墨碳源沉积金刚石薄膜显示文摘采用固相石墨为碳源 ,使用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,在Si(1 1 1 )上沉积高质量的金刚石薄膜 .研究了在气相碳源浓度处于不饱和状态时 ,沉积气压和石墨温度对生长速率的影响 .利用SEM、XRD、红外光谱分析薄膜表面形貌和质量 .结果表明高质量的金刚石薄膜可在H2 激发而产生的封闭的等离子体气氛下合成 ,高的沉积气压和石墨温度会导致高的气相碳源浓度 ,从而有利于提高薄膜的生长速率。	王传新汪建华马志斌满卫东王升高吴艳丽陈章	2002	武汉化工学院学报2002，24，4：	0

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