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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究显示文摘制备了大尺寸AlGaInP/GaAsSHBT和DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响AlGaInP/GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明:AlGaInP/GaAsHBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压。	李冰寒刘文超周健夏冠群	2003	功能材料与器件学报2003，9，3：	1

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