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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究显示文摘研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试。实验结果表明,对于低能电子和射线辐照,该探测器都有比较灵敏的电流响应。经过1 Mrad(Si)的射线辐照后,探测器的信号电流没有明显退化;分别经过1 Mrad(Si)的射线和100 Mrad(Si)的1 MeV电子辐照后,0 V和30 V辐照偏压下的探测器的暗电流仅有较轻微的退化。说明了该文研制的探测器具有暗电流低、灵敏度高和抗辐射容限高等优点,可以在强辐射环境中长时间应用。	张林肖剑邱彦章程鸿亮	2012	电子科技大学学报2012，41，3：	3

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