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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	ZnO薄膜的本征缺陷、p型掺杂及其新型功能器件显示文摘ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60meV),室温下激子仍然存在。由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等高技术领域有着广阔的应用前景,在国内外引起极大的关注。但本征的ZnO呈n型电导,p型ZnO的获得因较强的自补偿效应,存在较大困难,限制了其应用水平。针对ZnO目前的研究、就其本征缺陷、p型掺杂以及新型功能器件等方面做一简要评述。	陈心满伍广亨周洪赵灵智牛巧莉	2012	化工新型材料2012，40，4：	0

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