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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	富硅氧化硅微盘的制备研究显示文摘采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料。喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致发光(PL)效率,并在750 nm波长处达到发光峰值。采用电子束光刻(EBL)及电感耦合反应离子刻蚀(ICP)技术在Si衬底上制备了基于富硅氧化硅材料的光学微盘结构。为防止Si衬底的光吸收,在反应离子刻蚀(RIE)系统中研究出一种各向同性的刻蚀工艺,有效使微盘与Si衬底分离。扫描电镜(SEM)探测表明,该工艺具有良好的尺寸控制及高稳定性。利用该工艺,成功制备了直径为4μm的富硅氧化硅微盘器件。	陈曜	2010	半导体技术2010，35，9：	0

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