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1LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布显示文摘采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验。实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同。根据腐蚀坑可以判定,其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向。关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量。黄庆捷 孔海宽 李军 高磊 葛文伟 张怀金 胡小波 江怀东 王继扬 2003功能材料2003,34,2:0
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