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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	N型4H-SiC ECR氢等离子体处理研究显示文摘采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控。在200°C~700°C温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构。用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低。	王德君高明超朱巧智秦福文宋世巍王晓霞	2009	固体电子学研究与进展2009，29，3：	1

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