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| 1 | 单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展显示文摘为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向. | 翟文杰 高博 | 2018 | 哈尔滨工业大学学报2018，50，7： | 7 |
| 2 | 固结磨料研磨SiC单晶基片(0001)C面研究显示文摘碳化硅(SiC)单晶基片已广泛应用于微电子、光电子等领域.本文针对传统游离磨料研磨加工的缺点,提出了固结磨料研磨SiC单晶基片技术,以前期研究的SiC单晶基片研磨膏配方,试制了一系列固结磨料研磨盘,研究了固结磨料研磨SiC单晶基片(0001)C面时的材料去除率、表面粗糙度及平面度,并与游离磨料研磨进行了对比.结果表明,固结磨料研磨后样品表面有深度较浅的划痕,游离磨料研磨后表面没有划痕,但表面呈凹坑状;游离磨料研磨后工件表面粗糙度轮廓最大高度Rz远大于固结磨料研磨;固结磨料研磨的材料去除率高于游离磨料,固结磨料研磨后的表面粗糙度Ra远低于游离磨料研磨,固结磨料研磨可提高平面度;研究结果可为进一步研究固结磨料化学机械研磨盘、固结磨料研磨工艺参数及机理提供参考依据. | 苏建修 张学铭 万秀颖 付素芳 | 2014 | 纳米技术与精密工程2014，12，6： | 7 |
| 3 | SiC单晶材料加工工艺研究进展显示文摘SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料,其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点,突出表现为加工效率低、表面质量不稳定等问题,因此SiC单晶片的高效低损伤加工技术成为研究的焦点。介绍了SiC单晶材料去除机理,总结了高效精密加工SiC单晶的工艺现状及发展趋势,这对于提高SiC单晶片加工技术和应用水平有重要的理论意义和实用价值。 | 肖强 何雪莉 | 2014 | 材料导报2014，28，1： | 5 |
| 4 | 双面机械抛光对SiC衬底TTV及材料去除率的影响显示文摘通过开展双面机械抛光分组实验,探讨工艺参数对碳化硅(SiC)衬底总厚度变化(TTV)和材料去除率的影响。研究结果表明,设备转速越高、载荷压力越大,材料去除率越高;SiC衬底TTV随载荷压力与转速的增加先降后升。根据分组实验得到的结果进行工艺参数优化。SiC衬底双面机械抛光后获得了材料去除率平均值为4.86μm/h、TTV平均值为2.35μm、弯曲度平均值为6.03μm、翘曲度平均值为7.6μm、粗糙度平均值为0.8 nm的SiC衬底。该研究为优化SiC衬底双面抛光工艺、提高SiC衬底抛光精度和加工效率提供了参考。 | 贾军朋 白欣娇 李晓波 崔素杭 李帅 | 2021 | 微纳电子技术2021，58，9： | 1 |
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