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| 1 | 钨酸钆镉单晶的光致发光性能显示文摘采用提拉法生长了钨酸钆镉[CdGd_2(WO_)_4,CGW]单晶。在室温下测试和研究了CGW单晶的光致发光谱和X射线能量色散谱。结果表明;样品中有Gd,Cd,W和O元素,未见其他杂质元素;样品的发光性质随激发波长的不同而有所变化。在313 nm波长光激发下,有3个发光带,分别为447 nm蓝光,487 nm蓝绿光和545 nm绿光;在353 nm波长光激发下,不仅有蓝光、蓝绿光和绿光出现,另外出现了575 nm黄光发光峰;在367 nm波长的光激发下,出现775 nm红光发光峰。对发光机制分析认为:蓝光和蓝绿光为本征发射,起源于WO_4^(2-)离子团的内部电子跃迁;绿光起源于'WO_4^(2-)+O_i';黄光和红光起源于WO_3内部跃迁。 | 孙桂芳 高学喜 盛淑芳 阮树仁 赵晓林 | 2007 | 硅酸盐学报2007，35，11： | 2 |
| 2 | 钨酸钆镉晶体的光学性能显示文摘测试了钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体在200~700nm波段的透射光谱和反射光谱。结果显示:CGW晶体在可见光区吸收非常小,具有良好的透光性。对测量得到的光谱进行了数学处理,计算得到了描述CGW晶体宏观光学特性的重要物理量,即晶体的折射率n(λ)、消光系数k(λ)和吸收系数α(λ)。用(αE)1/2对E作图,得出了晶体的光学能隙为3.53eV,证明了CGW晶体是间接带隙半导体。 | 孙桂芳 牟娟 钱霞 阮树仁 盛淑芳 | 2009 | 硅酸盐学报2009，37，11： | 1 |
| 3 | Ce∶CdGd2(WO4)4单晶的生长和发光性能研究显示文摘以高温固相反应法合成了Ce∶CdGd_2(WO_4)_4和CdGd_2(WO_4)_4多晶料原料,采用提拉法生长出了Ce∶CdGd_2(WO_4)_4和CdGd_2(WO_4)_4晶体。测量了紫外可见透过光谱、光致激发和荧光发射光谱、拉曼光谱以及紫外光激发下的衰减时间,并进行了相互比较。结果表明,生长出的单晶透过性良好,Ce∶CdGd_2(WO_4)_4晶体吸收边有红移。在激发波长为320 nm光激发下,荧光发射光谱的峰均位于525 nm,Ce∶CdGd_2(WO_4)_4和CdGd_2(WO_4)_4的衰减时间分别为1.4μs和1.5μs。 | 殷洁 杜飞 栗茹 张鹏 张敬富 潘尚可 张彦 潘建国 | 2016 | 人工晶体学报2016，45，8： | 1 |
| 4 | CdLa2(WO4)4晶体的生长及发光性能的研究显示文摘以高温固相法成功合成了CdLa_2(WO_4)_4多晶料,采用垂直坩埚下降法进行了晶体的生长。CdLa_2(WO_4)_4晶体属于四方晶系白钨矿结构,其晶胞参数为:a=b=5.209■,c=11.325■,晶胞的体积为307.26■~3,其密度为7.494 g/cm^3。在室温下测量了晶体的光致发光光谱、X射线激发发射光谱、光致发射衰减时间等。结果表明:在296nm紫外光的激发下,样品在350~600 nm范围内具有宽阔的蓝绿发光带,发射峰的峰值为470 nm。并且其光致发射衰减时间为3.4 ns,在X射线激发下也有良好的发光性能。 | 杜飞 殷洁 栗茹 张鹏 潘尚可 潘建国 | 2018 | 人工晶体学报2018，47，2： | 0 |
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