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| 1 | 碳化硅薄膜制备方法及光学性能的研究进展显示文摘碳化硅薄膜有密度小、热导率高、热膨胀系数低、硬度高等优异的性能。介绍了制备碳化硅薄膜的2种常用方法,即化学气相沉积和磁控溅射技术,比较了2种方法的各自优势。总结了碳化硅薄膜光学性能及短波发光特性的研究进展。 | 张平 罗崇泰 陈焘 盖志刚 | 2009 | 真空与低温2009，15，4： | 6 |
| 2 | SiC发光特性及其调控研究进展显示文摘碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点,所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力。本文综述了国内外SiC发光性质的研究现状,介绍SiC发光的实际应用,阐述了单晶、纳米晶和薄膜不同形态SiC的制备方法及发光特点,并对SiC发光调控的研究进展进行了探讨与展望。利用新兴技术手段,可实现对SiC发光光谱和发光效率等性质的调控。 | 王思聪 季凌飞 吴燕 张永哲 闫胤洲 | 2017 | 材料工程2017，45，2： | 3 |
| 3 | 镶嵌在SiO_2基体中SiC纳米晶的紫外光致发光显示文摘将剂量为2×1016cm-2的C+以60 keV的能量注入到SiO2薄膜中并进行了退火处理。从样品的室温光致发光(PL)光谱中观察到六个PL峰,其峰位分别处于2.601 eV、2.857 eV、3.085 eV、3.249 eV、3.513 eV和3.751 eV。其中3.249 eV处的PL峰与4H-SiC有关。而对于尚未见报道的3.751 eV处PL峰,进行了红外吸收和荧光激发(PLE)测试:在PLE谱4.429 eV处显示出一个对应于3.751 eV处的激发峰。在红外吸收谱上证实0.205 eV(1650cm-1)处的吸收峰与3.751 eV处发光峰的起源相关,从而推断在3.751 eV处的PL峰应起源于氧空位缺陷。 | 卢赛 王茺 王文杰 杨宇 | 2013 | 人工晶体学报2013，42，7： | 1 |
| 4 | SiC纳米棒的紫外发光研究显示文摘采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解的方法制备了3C-SiC纳米棒,在室温下观察到来自纳米棒的378nm(3.3eV)强紫外发射.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线衍射对样品的形貌和结构进行表征,观察到在该结构中存在类似6H-SiC结构的三层堆垛层错.利用室温荧光光谱和室温荧光衰减曲线研究了强紫外发射的产生机理,紫外发射来源于3C-SiC纳米棒中的三层堆垛层错的发光. | 金华 卜凡亮 王蓉 李丽华 杨为佑 张立功 安立楠 | 2009 | 物理学报2009，58，4： | 0 |
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