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| 1 | 过渡金属Mn对SiC薄膜的结构和光学性能的影响显示文摘采用射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了掺Mn的SiC薄膜,用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电镜及荧光光谱等方法,对薄膜的结构、表面形貌、化学键状态和光学性能进行了研究。结果表明:掺Mn使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C键振动减弱;同时,由于掺Mn后提供了更多的Si空位复合发光中心,SiC薄膜在近带边414 nm处的室温光荧光峰增强为1.3倍。 | 宋曙光 沈鸿烈 王美玲 高超 袁成逸 | 2008 | 真空科学与技术学报2008，28，3： | 1 |
| 2 | Mn、Co掺杂SiC薄膜结构与光致发光性能研究显示文摘采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究。结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si—C键振动减弱,Si-O基团的振动增强。样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度。 | 宋曙光 沈鸿烈 李丹 蔡红 唐正霞 | 2008 | 功能材料2008，39，8： | 1 |
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