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| 1 | 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法显示文摘Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法,取得了平滑陡直的刻蚀效果。在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明,在直径100mm的光刻胶掩蔽Si片上,刻蚀深度为39.2μm,光刻胶剩余4.8μm,侧壁表面满足平滑陡直的要求。 | 张育胜 | 2009 | 半导体技术2009，34，3： | 6 |
| 2 | 光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽显示文摘为解决用光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽过程中出现均匀性差的问题,在分析了传统光助电化学刻蚀装置中存在的不足的基础上,设计并制作了一套新型大面积光助电化学刻蚀装置.该装置通过特殊设计的花洒式溶液循环机构和水冷隔热系统,解决了大面积硅片在长时间深刻蚀过程中出现的溶液升温和气泡堆积的问题.借助这套装置能够实现127 mm(5 inch)及以上大面积硅片的均匀深刻蚀.同时,通过采用以0.01 A/min的速率逐步增加刻蚀电流的方法,来补偿侧向腐蚀对槽底电流密度的影响,保证了整个刻蚀过程中硅深槽形貌的一致性.最终在整个127 mm硅片上制作出了各处均匀一致的硅深槽,深度达60μm、深宽比在20以上. | 赵志刚 牛憨笨 雷耀虎 郭金川 | 2010 | 纳米技术与精密工程2010，8，6： | 2 |
| 3 | 基于MEMS技术的微型燃烧器的特性分析与设计显示文摘为了改善微型燃烧器内的燃烧性能,分析了微型燃烧器燃烧时存在的主要问题,并提出了相应的燃烧策略。根据微型燃烧器的特点,采用旋流预混、增设预混通道、燃气出口通道和简化管道接气装置等方法对微型燃烧器的结构进行改进设计。改进后,可延长燃料与空气在预混腔的预混时间,增强预混效果;充分利用燃气热量,提高预混气体的初温,减少微型燃烧器散热,利于燃气着火。延长燃气在燃烧室内的燃烧时间,并增强气流扰动。管道接气装置可简化气源管道连接问题,管道间距的加大也使其安装连接更为方便,气密性的保证也相对更容易。为下一步开展微型燃烧器内气体预混催化重整燃烧等实验研究打下了基础。 | 闫云飞 张力 冉景煜 唐强 马盟 邱赟 | 2008 | 微细加工技术2008，，1： | 1 |
| 4 | 太赫兹真空器件中的微加工技术和微封装技术显示文摘当工作频率升高至太赫兹频段时,真空器件的结构尺寸缩小至毫米级甚至微米级。传统的精密加工方法已经不能满足要求,这就要求采用新的加工技术即微细加工技术以保证很高的尺寸精度和表面光洁度。本文介绍了三种主要的微细加工技术,LIGA、UV(紫外)LIGA和深反应离子刻蚀,阐述了这三种加工技术的工艺流程、特点以及其应用情况,并举例说明各加工技术在太赫兹真空器件中的一些应用。 | 李含雁 冯进军 唐烨 蔡军 | 2013 | 真空电子技术2013，26，1： | 1 |
| 5 | TSV通孔技术研究显示文摘介绍了TSV技术及其优势,针对TSV中通孔的形成,综述了国内外研究进展,提出了干法刻蚀、湿法刻蚀、激光钻孔和光辅助电化学刻蚀法(PAECE)等四种TSV通孔的加工方法,并对各种方法进行了比较,提出了各种方法的适用范围。 | 黄铂 | 2013 | 中小企业管理与科技2013，，22： | 0 |
| 6 | 硅的反应离子刻蚀实验研究显示文摘采用SF6和O2为刻蚀气体,在275m(torr)的反应压力下对硅进行了反应离子刻蚀实验研究。通过不断调节射频功率、刻蚀气体的流量等系列对比实验,研究、探索并优化了对硅的反应离子刻蚀工艺条件。实验研究得出的最优化条件:射频功率为120W,SF6和O2的流量为36cm3/s和6cm3/s。在该工艺条件下获得三个重要的刻蚀参数:刻蚀速率为1036nm/min,对氧化物的选择比为56.6,均匀性为4.41。 | 彭明发 何小蝶 吴海华 | 2015 | 实验科学与技术2015，13，1： | 0 |
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