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| 1 | 第一性原理研究[111]晶向硅纳米线电子结构,光学性质与压阻特性的应变效应显示文摘基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),利用第一性原理方法计算研究了单轴应变对[111]晶向硅纳米线的电子结构、光学性质以及压阻性质的影响.能带结构和光学性质的结果表明:压应变导致硅纳米线的带隙明显线性减小,且使其由直隙半导体转变为间隙半导体,而施加拉应变后硅纳米线仍为直隙半导体材料,但是带隙略有减小,且价带顶附近的能带线产生了较为复杂的变化.由于能带的应变效应导致其光学性质也相应发生了较大改变:拉应变使硅纳米线的介电峰出现宽化现象,低能区内的光吸收增强,静态折射率和反射率峰值增大,而压应变的效果则相反.结合能带结构与压阻系数计算模型得到的压阻特性结果表明:随着压应变的增加压阻系数单调减小,这主要归因于空穴浓度随压应变显著变化引起的;而拉应变作用时,压阻系数呈现波动趋势,这主要是由于空穴有效传输质量的增加程度和载流子浓度的增加程度不同而相互竞争导致的.上述计算结果表明,设计基于硅纳米线的光电和力电器件时,需考虑其应变效应. | 顾芳 张加宏 陈云云 刘清惓 | 2016 | 原子与分子物理学报2016，33，1： | 10 |
| 2 | 硅纳米线的电学特性显示文摘总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性能增强。因此,硅纳米线在场效应晶体管及存储元件等纳米器件方面具有极大的应用前景。 | 裴立宅 唐元洪 张勇 郭池 陈扬文 | 2005 | 电子器件2005，28，4： | 10 |
| 3 | 镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究显示文摘利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对镍掺杂硅纳米线的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究.结果表明:Ni容易占据硅纳米线表面的替代位置.镍掺杂后的硅纳米线引入了杂质能级,杂质能级主要来源于Ni的3d电子的贡献.由于Ni的3d态和Si的3p态的耦合作用,使禁带宽度变窄.掺杂后的硅纳米线在低能区出现了一个较强的吸收峰,且吸收带出现宽化现象. | 梁伟华 丁学成 褚立志 邓泽超 郭建新 吴转花 王英龙 | 2010 | 物理学报2010，59，11： | 7 |
| 4 | Ni掺杂浓度对硅纳米线光电性质的影响显示文摘利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Ni掺杂硅纳米线的形成能、能带结构、态密度和光学性质进行了计算,结果表明:杂质Ni的形成能随硅纳米线直径的减小和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越大的硅纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的硅纳米线越不稳定.Ni掺杂在费米能级附近及带隙中引入杂质能级,其主要来自Ni的3d轨道,杂质能级扩展成杂质带,改变Ni的掺杂浓度可改变硅纳米线的带隙,改善其导电性.另外,还发现掺杂浓度明显改变了硅纳米线的吸收强度和宽度. | 梁伟华 丁学成 王秀丽 郭建新 褚立志 邓泽超 傅广生 王英龙 | 2011 | 原子与分子物理学报2011，28，2： | 4 |
| 5 | 一维硅纳米材料的光学特性显示文摘硅纳米线与硅纳米管是两种重要的一维硅纳米材料,由于具有量子限制效应等性能在光电子器件方面具有潜在的应用前景。总结了近年来硅纳米线在光学特性方面的研究进展,重点介绍了本征硅纳米线、掺杂硅纳米线及硅纳米线阵列的光致发光光谱(PL)的最新进展情况,同时涉及了硅纳米管在PL发射光谱方面的研究结果。 | 裴立宅 唐元洪 郭池 张勇 陈扬文 | 2006 | 人工晶体学报2006，35，1： | 3 |
| 6 | 金纳米线热稳定性的分子动力学模拟研究显示文摘采用三维分子动力学模拟方法,以面心立方金属金为研究对象,基于Finnis-Sinclair型嵌入原子法(EAM)多体势,模拟研究了金纳米线的热稳定性。研究表明,金纳米线的熔化温度随着线径的减小而降低,熔化过程从表面开始,并逐渐向中心趋近,最后缩聚成球形团簇。纳米线在熔化过程中,温度也在逐渐升高,这不同于块体材料。Au纳米线的熔点比块体材料低很多,并且与纳米线的线径倒数成线性关系。 | 曾庆明 周耐根 周浪 | 2008 | 中国陶瓷2008，44，7： | 3 |
| 7 | 以CuSe纳米粒子为催化剂制备超长ZnSe纳米线显示文摘采用化学气相沉积的方法,以Zn粉末为原料,CuSe纳米粒子为催化剂,在Si衬底上成功制备了毫米级ZnSe纳米线。用X射线衍射、EDS和SEM对产物的结构、成分和形貌进行了测试与表征。结果表明:生长的ZnSe纳米线为立方闪锌矿结构,长度达0.35~0.7mm,Zn和Se的摩尔比为1?0.97,其室温光致发光谱显示在325nm波长激发下,ZnSe纳米线在439nm处呈现自由激子的强烈发射,表明生长的ZnSe纳米线具有高的结晶质量。纳米线生长符合氧化还原反应下的气液固生长机制,并证明Cu3Zn合金充当了实际的ZnSe纳米线生长催化剂。 | 熊鹏 李焕勇 介万奇 李志鹏 | 2007 | 中国有色金属学报2007，17，5： | 3 |
| 8 | 镍间隙掺杂硅纳米线电子结构的研究显示文摘采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对[100]方向镍间隙掺杂硅纳米线结构的稳定性和电子性质进行了计算。计算结果表明Ni原子更喜欢占据硅纳米线内部六角形间隙位置;掺杂体系费米能级附近的电子态密度来源于Ni3d态电子的贡献;同时发现不同构型的Ni掺杂硅纳米线,其带隙不同,且与未掺杂硅纳米线相比,带隙普遍减小。 | 梁伟华 王秀丽 丁学成 褚立志 邓泽超 郭建新 傅广生 王英龙 | 2011 | 功能材料2011，42，7： | 2 |
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