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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	InAs/GaSb超晶格红外探测器台面的ICP刻蚀研究显示文摘采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,由于刻蚀产物 InClx 的低挥发性阻挡了 Cl2的刻蚀,InAs 的刻蚀速率低于GaSb;Cl2比例在20%~40%时,刻蚀表面粗糙度最小,明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤,有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流。	郭杰郝瑞亭赵前润满石清	2014	功能材料2014，45，1：	1
	2	Reactive ion etching of Ti-diffused LiNbO_3 slab waveguides显示文摘Reactive ion etching(RIE) of LiNbO3(LN) in SF6 plasma atmosphere was studied for optimizing the preparation conditions for LN ridge waveguides.The samples to be etched are Ti-diffused LN slab waveguides overlaid with a chromium film mask that has a Mach-Zehnder interferometer(MZI) array pattern.The experimental results indicate that the LN-etching rate(RLN) and the Cr-etching rate(RCr) as well as the rate ratio RLN/RCr increase with either increasing the radio-frequency(RF) power at a given SF6 flow rate or increasing the SF6 flow rate at a fixed RF power.The maximum values of RLN = 43.2 nm/min and RLN/RCr = 3.27 were achieved with 300 W RF power and 40 sccm SF6 flow.When the SF6 flow rate exceeds 40 sccm,an increase in the flow rate causes the etching rates and the rate ratio to decrease.The scanning electron microscope images of the LN ridge prepared after~20 min etching show that the ridge height is 680 nm and the sidewall slope angle is about 60°.	吴建杰李金洋要彦清祁志美	2013	Journal of Semiconductors2013，34，8：	0

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