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| 1 | 808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器显示文摘采用分别限制非对称波导结构,将光场从对称分布变为非对称分布,降低了载流子光吸收损耗,并允许p型区具有更高的掺杂水平,从而使器件电阻降低。对GaAsP/GaInP张应变单量子阱(SQW)非对称波导结构激光器的光场特性进行了理论分析,设计了波导层厚度,并制作了波长为808 nm的无铝有源区大功率半导体激光器.器件综合特性测试结果为:腔长900μm器件的阈值电流密度典型值为400 A/cm^2,内损耗低至1.0 cm^-1;连续工作条件下,150μm条宽器件输出功率达到6 W,最大斜率效率为1.25 W/A.器件激射波长为807.5 nm,平行和垂直结的发散角分别为3.0°和34.8°。20~70℃范围内特征温度达到133 K。结果表明,分别限制非对称波导结构是降低内损耗,提高大功率半导体激光器特性的有效措施。 | 仲莉 王俊 冯小明 王勇刚 王翠鸾 韩琳 崇锋 刘素平 马骁宇 | 2007 | 中国激光2007，34，8： | 18 |
| 2 | 高功率半导体激光器的可靠性与寿命评价显示文摘介绍了高功率半导体激光器的结构特点、失效机理和热产生机制等方面的内容。就寿命评价方面展开讨论,详细分析了高功率半导体激光器寿命评价的难点、现有方法以及国内外发展状况,最后就寿命评价系统及寿命试验提出了一些建议。高功率半导体激光器在工业加工、国防航天等领域的巨大应用前景推动其可靠性与寿命的发展,而其可靠性的提高和寿命的延长会大大拓宽其应用领域。 | 雷志锋 杨少华 黄云 | 2008 | 应用光学2008，29，1： | 9 |
| 3 | 低阈值高效率InAlGaAs量子阱808nm激光器显示文摘以Al0.3Ga0.7As/InAlGaAs/Al0.3Ga0.7As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808 nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率。首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。通过优化外延生长条件,保证了5.08 cm片内的量子阱(QW)光致发光(PL)光谱峰值波长均匀性达0.1%。对于条宽为50μm,腔长为750μm的器件,经镀膜后的阈值电流为81mA,斜率效率为1.22 W/A,功率转换效率达53.7%。变腔长实验得到器件的腔损耗仅为2 cm-1,内量子效率达90%。结果表明,压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性。 | 李建军 韩军 邓军 邹德恕 沈光地 | 2006 | 中国激光2006，33，9： | 9 |
| 4 | An asymmetric broad waveguide structure for a 0.98-μm high-conversion-efficiency diode laser显示文摘A novel asymmetric broad waveguide diode laser structure was designed for high power conversion efficiency(PCE).The internal quantum efficiency,the series resistance,and the thermal resistance were theoretically optimized.The series resistance and the thermal resistance were greatly decreased by optimizing the thickness of the P-waveguide and the P-cladding layers.The internal quantum efficiency was increased by introducing a novel strain-compensated GaAs0.9P0.1/InGaAs quantum well.Experimentally,a single 1-cm bar with 20% fill factor and 900 μm cavity length was mounted P-side down on a microchannel-cooled heatsink,and a peak PCE of 60% is obtained at 26.3-W continuous wave output power.The results prove that this novel asymmetric waveguide structure design is an efficient approach to improve the PCE. | 崇锋 王俊 熊聪 王翠鸾 韩淋 吴芃 王冠 马骁宇 | 2009 | Journal of Semiconductors2009，30，6： | 2 |
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