维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

维普中文期刊产品整合服务

共被期刊论文引用了2次 您的检索式：您选中1篇文献正在查看引证文献汇总

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	铁磷熔体的氧化还原态和导电性能显示文摘用电导率电池测量了含钠铁磷模拟放射性核废料 (HLW )熔体的电阻率 ,并分析了相应玻璃的M ssbauer谱 ,计算了铁离子的价态和氧化还原比 ,分析了温度、时间和氧化钠含量对熔体电阻率和玻璃氧化还原比的影响 .结果发现 :在Na2 O含量低的熔体中 ,升温和降温过程的电阻率的变化是不可逆的 ;随着Na2 O含量增加 ,不可逆性消失 ,熔体的电阻率随时间轻微下降 .同时发现 :Na2 O含量低的铁磷熔体的导电机理是电子性的 ,并用氧化还原比解释了其电阻率 -温度曲线的不可逆性 .铁磷模拟HLW熔体的电阻率类似于相近Na2 O含量的钠铁磷系统熔体的电阻率 .	陈福义介万奇 DayDE	2001	硅酸盐学报2001，29，1：	1
	2	Anomalous Resistivity in Vanadium-Doped Semi-Insulating 4H-SiC Wafers显示文摘The resistivities of vanadium-doped semi-insulating 4H-SiC wafers were measured by a contactless resistivity measurement system. Anomalous resistivity was found in semi-insulating 4H-SiC wafer. Raman spectra of semi-insulating4H-SiC wafer indicated that the anomalous resistivity was caused by polytype inclusion. Based on the activation energies of different SiC polytypes calculated from resistivity versus temperature data measured by COREMA-VT, the resistivities in the vanadium-doped semi-insulating 4H-SiC wafer with 6H polytype inclusion were calculated. The calculated resistivities are quite consistent with the measured resistivities. Furthermore, the compensation mechanism for the formation of anomalous resistivity was proposed.	Xianglong Yang Kun Yang Yingxin Cui Yan Peng Xiufang Chen Xuejian Xie Xiaobo Hu	2014	Acta Metallurgica Sinica(English Letters)2014，27，6：	0

返回顶部每页显示：

共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

goolge学术搜索-维普

网站首页 | 关于我们 | 联系我们 | 产品服务 | 客服中心 | 广告服务 | 版权声明 | 网站联盟 | 友情链接 | 售卡网点

版权所有© 渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费