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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	FORWARD GATED-DIODE METHOD FOR DIRECTLY MEASURING STRESS-INDUCED INTERFACE TRAPS IN NMOSFET/SOI显示文摘Forward gated-diode Recombination-Generation(R-G) current method is applied to an NMOSFET/SOI to measure the stress-induced interface traps in this letter. This easy but accurate experimental method can directly give stress-induced average interface traps for characterizing the device's hot carrier characteristics. For the tested device, an expected power law relationship of ANit ~ t0.787 between pure stress-induced interface traps and accumulated stressing time is obtained.	HuangAihua YuShan 等	2002	Journal of Electronics(China)2002，19，1：	1
	2	由等价掺杂转换理论得到非对称线性缓变P-N结的击穿特性(英文)显示文摘基于等价掺杂转换理论的应用 ,得到了解析计算非对称线性缓变 P- N结击穿特性 .由于非对称线性缓变 P-N结是单扩散 P- N结的一个恰当近似 ,因而 ,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件 P- N结的终端结构 .运用等价掺杂转换方法的基本理论得到了不同扩散掺杂梯度和衬底浓度组合系列的击穿电压 .研究了最大耗尽层宽度在扩散侧和衬底侧的扩展 ,给出了它们随扩散掺杂梯度和衬底浓度组合的变化而出现的不同特点 .本方法预言的最大击穿电压较之单纯的突变结和对称线性缓变 P- N结更接近文献报道的结果 ,显示了等价掺杂转换理论的理论计算非对称线性缓变 P-	何进张兴	2002	Journal of Semiconductors2002，23，2：	0

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