| 1 | 低温烧结制度对ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷显微结构与电性能的影响显示文摘采用传统电子陶瓷的制备工艺,制备了相同Bi_2O_3含量、Sb_2O_3/Bi_2O_3比分别为0.25、0.50的ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷,研究在800℃-950℃区间内一步烧结与两步烧结制度对陶瓷的显微结构与电性能的影响。显微结构分析表明,烧结过程中足够的Bi_2O_3液相有利于烧结,而且能够促进晶粒内含反演边界(Inversion Boundary)的ZnO晶粒的长大。烧成的样品具有发育良好的显微结构:高的致密度、均匀的含Bi第二相分布以及粒径,而且电性能良好:压敏电压327-670 V/mm,非线性系数20-31,漏电流低于0.5μA。Sb_2O_3含量较高的样品,晶粒尺寸较小,压敏电压和非线性系数较大,漏电流较小。研究还发现,ZnO晶粒尺寸以受两步烧结制度里占主要的烧结过程的影响为主。研究结果表明:与传统的1000℃以上烧结相比,合理的配方是保证在800℃-950℃区间内烧结获得综合性能良好的压敏陶瓷样品的关键。 | 程丽红 Slavko Bernik Matejka Podlogar 郑嘹赢 李国荣 | 2017 | 陶瓷学报2017，38，5： | 2 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员