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| 1 | 罗沙司他治疗维持性血液透析患者难治性肾性贫血的疗效观察显示文摘目的观察罗沙司他治疗维持性血液透析患者难治性肾性贫血的疗效及安全性。方法选取行维持性血液透析的65例采用重组人促红细胞生成素(rhEPO)联合铁剂治疗肾性贫血不理想的患者为研究对象,随机分为试验组(n=33)与对照组(n=32)。试验组口服罗沙司他胶囊治疗,对照组注射rhEPO治疗,2组均口服铁剂,治疗6周。比较2组治疗前后的贫血指标[血细胞比容(Hct)、血红蛋白(Hb)]和铁代谢指标[转铁蛋白(TRF)、转铁蛋白饱和度(TSAT)、总铁结合力(TIBC)],并记录2组不良事件发生情况。结果治疗6周后,试验组Hb、Hct、TIBC、TRF水平高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05),TSAT水平与对照组比较,差异无统计学意义(P>0.05)。试验组不良事件发生率低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论罗沙司他胶囊治疗维持性血透患者难治性肾性贫血的疗效优于rhEPO,且不良反应较少,口服便利,安全有效。 | 程红娟 魏芝薇 史慧 李桂珍 吴晓蓉 | 2021 | 实用临床医药杂志2021，25，14： | 22 |
| 2 | 超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)相关研究进展显示文摘氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本。21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量β-Ga_(2)O_(3)单晶晶圆,京都大学开展了β-Ga_(2)O_(3)薄膜外延研究并获得了高质量的同质外延片。在此基础上,日本信息通信研究机构于2012年构建了第一个β-Ga_(2)O_(3)金属半导体场效应晶体管(MESFET),证明了β-Ga_(2)O_(3)在功率器件领域拥有巨大潜能,开启了β-Ga_(2)O_(3)研发的新纪元。此后,国际上众多机构加入了β-Ga_(2)O_(3)单晶、外延、器件的研发潮流。随着研发工艺的进步,β-Ga_(2)O_(3)基功率器件的耐压上限一次次被刷新。本文梳理了β-Ga_(2)O_(3)单晶、外延、器件发展的时间线,汇总分析了β-Ga_(2)O_(3)功率器件的研究现状,指出存在的问题和可能的解决方案,并对其未来进行了展望,期望为以后的技术发展提供参考。 | 王新月 张胜男 霍晓青 周金杰 王健 程红娟 | 2021 | 人工晶体学报2021，50，11： | 5 |
| 3 | 导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶显示文摘以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征。结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105Pa时,Ga2O3的平均分解速率低于1 g/h。(100)面β-Ga2O3单晶的X射线衍射(XRD)摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体(100)面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×10^4cm^-2;傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga2O3单晶在紫外、可见光透过率达到80%以上。 | 练小正 张胜男 程红娟 齐海涛 金雷 徐永宽 | 2018 | 半导体技术2018，43，8： | 5 |
| 4 | 阿法骨化醇冲击疗法联合血液灌流治疗维持性血液透析患者皮肤瘙痒的疗效分析显示文摘目的观察分析阿法骨化醇冲击疗法联合血液灌流在临床中治疗维持性血液透析患者皮肤瘙痒的效果。方法选择于2012年2月至2018年1月期间到我院接受治疗的78例维持性血液透析皮肤瘙痒患者,遵照随机分配法则,平均分为对照组(n=39)、观察组(n=39)。对照组行血液灌流治疗,观察组行阿法骨化醇冲击疗法联合血液灌流进行治疗,比较两组患者治疗前后各项生化指标检测结果、皮肤瘙痒改善情况。结果两组患者治疗后较治疗前BUN、Scr、P^(3+)、Ca^(2+)、iPTH指标均得到改善,除了iPTH、P^(3+)之外,其他指标比较,差异不存在统计学意义(P>0.05);而且治疗后观察组iPTH、P^(3+)指标显著优于对照组,差异存在统计学意义(P<0.05)。观察组皮肤瘙痒改善情况显著优于对照组,差异存在统计学意义(P<0.05)。结论对于维持性血液透析皮肤瘙痒患者而言,在临床中行阿法骨化醇冲击疗法联合血液灌流进行治疗,不仅可有效改善症状,还可提升生活质量,应当推广。 | 程红娟 王前 | 2018 | 临床医药文献电子杂志2018，5，64： | 4 |
| 5 | 4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法显示文摘以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光。用微分干涉显微镜和原子力显微镜观察晶片表面形貌的变化,观察结果显示,经3 h抛光后晶片的表面粗糙度状况得到了明显的改善,表面没有观察到划痕,表面粗糙度值达到了0.1 nm以下,并且出现规则排列的原子台阶构型,达到了原子级平整。实验研究了抛光液组成对抛光效果的影响,在最优的条件下,化学机械抛光的去除速率约为387 nm/h。 | 高飞 徐永宽 程红娟 洪颖 张淑娟 | 2014 | 微纳电子技术2014，51，9： | 4 |
| 6 | 大尺寸硒化镉单晶生长及性能表征显示文摘硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS和Raman测试显示,在晶体生长初期形成了CdSe_xS_(1-x),随着晶体生长硫元素含量逐渐减少并最终消失,最终生长出的CdSe材料为纯相的纤锌矿型CdSe晶体材料.XRD测试显示CdSe晶体的晶格完整性较高.以上结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸CdSe单晶生长方法. | 张颖武 练小正 程红娟 | 2015 | 天津科技大学学报2015，30，6： | 4 |
| 7 | 浅谈公路桥梁钢箱梁顶推施工技术显示文摘本文笔者根据自己多年的从业经验,结合某公路桥梁钢箱梁施工的监理,介绍了钢箱梁顶推施工技术的具体方案,并分析了整个桥梁施工时要注意的事项和安全问题,希望施工人员能够提高安全防范意识,不断地提高桥梁的施工适量。 | 肖倩 程红娟 | 2013 | 科技与企业2013，，7： | 3 |
| 8 | 用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量显示文摘介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用。对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分布特点和多峰聚集区。结合表面缺陷测试仪和偏振光显微镜测试方法,对因螺旋生长产生的晶界分布聚集区以及边缘高应力晶界聚集区进行了表征。二者测试结果与HRXRD摇摆曲线面扫描的结果一致。对多片样品在不同区域使用不同测试方法得到的结果均验证了HRXRD摇摆曲线面扫描可以宏观识别晶畴界面聚集区,清楚辨别出位于晶片中心附近由于螺旋生长面交界形成的晶畴界面,以及位于晶片边缘、受生长热场影响晶粒畸变产生的高应力晶畴界面。 | 杨丹丹 王健 孙科伟 张胜男 金雷 程红娟 郝建民 | 2019 | 半导体技术2019，44，6： | 3 |
| 9 | DAST晶体的生长与表征显示文摘根据实验获得的亚稳区范围为指导,采用籽晶-溶液降温法进行对4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪的对甲苯磺酸盐(DAST)晶体的生长,获得了2颗尺寸较大的DAST晶体。X线衍射(XRD)图谱分析发现有较强的(004)面和(006)面的特征峰,光致发光谱(PL)测试发现573.5nm处存在N(CH3)2基团产生的特征峰,601.6nm处存在二甲胺基和磺酸盐基分子间电荷转移过程产生的特征峰,647nm存在由烯双键产生的特征峰,通过晶体的XRD、PL光谱测试,证实了实验制备的晶体为DAST晶体。同时,还测试了晶体的维氏硬度,以及使用原子力显微镜(AFM)及微分干涉显微镜对晶体的表面形貌进行了观测。 | 武聪 孟大磊 庞子博 徐永宽 程红娟 | 2017 | 压电与声光2017，39，5： | 3 |
| 10 | 蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究显示文摘通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺。工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌。发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN。其XRD摇摆曲线半高宽为450 arcs,表面粗糙度为0.9 nm。 | 徐永宽 程红娟 杨巍 于祥潞 赖占平 严如岳 | 2008 | 半导体技术2008，33，11： | 3 |
| 11 | 硒化镉晶体生长及性能表征显示文摘硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表明单晶生长面为(001)面,衍射峰的半高宽较小。光学性能测试表明,CdSe材料在近红外波段内具有较好的光学透过特性。 | 张颖武 李晖 程红娟 | 2016 | 压电与声光2016，38，3： | 3 |
| 12 | 不同颜色AlN单晶缺陷研究显示文摘通过物理气相传输(PVT)法在石墨系统中制备了绿色、无色和琥珀色氮化铝(Al N)单晶,在金属系统中制备了琥珀色Al N单晶。晶体中杂质含量测试结果表明石墨系统中琥珀色的Al N晶体比绿色和无色Al N晶体C、Si杂质含量低1~2个数量级,金属系统中琥珀色Al N晶体杂质含量最低,C、Si、O元素含量均在1018cm-3级别。Al N晶体的吸收图谱和光致发光图谱的分析结果表明,Al N晶体存在着位于4.7 e V、3.5 e V、2.8 e V、1.85 e V的4个吸收峰,其中4.7 e V和3.5 e V的吸收峰导致了Al N吸收截止边的红移,该吸收峰分别源于碳占氮位(CN)的点缺陷和VAl与O杂质的复合缺陷,2.80 e V的吸收峰导致了Al N晶体的琥珀色,该吸收峰是C元素和O元素共同导致的,1.85 e V的吸收峰导致了Al N晶体的绿色,该吸收峰是Si元素和C元素导致的。 | 徐永宽 金雷 程红娟 史月增 张丽 齐海涛 | 2018 | 人工晶体学报2018，47，7： | 3 |
| 13 | 对急性脑卒中吞咽障碍患者的吞咽摄食训练护理显示文摘目的对急性脑卒中患者的吞咽功能障碍进行早期康复护理,使患者尽早恢复吞咽和摄食功能。方法患者入院即进行吞咽功能及摄食训练。在入院时和治疗1个月后进行吞咽功能评定,并进行统计学处理。结果早期康复组患者的吞咽功能得到了明显的改善,吞咽功能及摄食情况明显优于对照组(两组比较P<0.01)。结论对脑卒中吞咽功能障碍的早期康复护理是功能恢复的重要环节,可减少后遗症的发生。 | 关菊香 朱银星 王仙丽 程红娟 郭克峰 | 2002 | 中国临床康复2002，6，9： | 3 |
| 14 | 新型城镇化与乡村振兴战略融合发展的路径探析--以河南省濮阳市为例显示文摘新型城镇化战略与乡村振兴战略是党中央为了提升农村发展动力,增强基础设施建设与缩小城乡差距提出的两大重要战略。为了实现我国城乡经济可持续发展的美好愿景,必须明晰新型城镇化与乡村振兴战略相辅相成的内在关系,新型城镇化带动与支撑乡村振兴,乡村振兴反哺与助推新型城镇化。河南省濮阳市通过县域经济与特色小镇的载体支撑,城乡经济与本地区特色产业对接,聚集产业要素,实现城镇利益和乡村利益的双赢,以此促进城乡融合战略发展。 | 李禄俊 程红娟 申汪洋 | 2021 | 成都行政学院学报2021，，1： | 3 |
| 15 | PVT法生长ZnTe晶体的技术显示文摘采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体。实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构。实验过程中,通过调整原料区与生长区温差和压强等工艺条件进行一系列籽晶扩大实验。发现适当缩小温差、增加生长压强有益于籽晶横向扩展。当温差缩小到35℃,压强增加到230 mbar(1 mbar=102 Pa),生长出了直径45 mm、厚度8 mm的ZnTe单晶。观察发现,晶体表面存在明显的孪晶线,孪晶线产生原因为生长前籽晶边缘有破损,导致生长过程突变。取其较大的单晶进行XRD测试,结果显示该ZnTe单晶具有良好的〈111〉晶向和结晶质量。 | 李晖 徐永宽 程红娟 史月增 郝建民 | 2013 | 微纳电子技术2013，50，10： | 3 |
| 16 | GaN单晶片的表面加工工艺研究显示文摘对硬脆材料氮化镓(GaN)单晶的机械研磨和化学机械抛光(CMP)加工工艺进行了研究。在机械研磨工艺中,研究了不同材料的研磨盘和不同粒径的磨料对GaN研磨时间的影响。实验结果表明,采用树脂铜盘和树脂锡盘将机械研磨时间缩短至1.5h,加工后的晶片表面最大划痕深度约为2.743nm,表面粗糙度为0.924nm。在GaNCMP单因素实验中,分析了工艺参数(如pH值、压力、转速)对GaN单晶片Ga面抛光速率的影响。实验结果表明,Ga面在酸性条件下的抛光速率较高,Ga面抛光速率随着压力和转速的增大而增加。确定了GaN单晶片表面加工的最佳工艺参数,当抛光液pH值为3,抛光压力为6×10^4Pa,抛光盘转速为100r/min时,Ga面抛光速率达到240nm/h,表面粗糙度可达到0.0719nm。 | 李晖 高飞 徐世海 张嵩 徐永宽 程红娟 | 2018 | 半导体技术2018，43，12： | 2 |
| 17 | SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理显示文摘采用物理气相传输法在SiC异质籽晶上制备了AlN单晶。通过Raman光谱仪、X射线衍射仪、二次离子质谱仪和X射线光电子能谱研究了AlN单晶的结晶质量和杂质成分,针对不同的杂质成分提出了相应的处理方式。结果表明:C、O为AlN单晶中的主要杂质元素,其中C元素为非故意掺杂,与AlN单晶的生长环境密切相关,随着生长晶体厚度的增加,C杂质元素的含量逐渐降低。而O元素除了源粉和生长系统中吸附氧外,还与抛光过程中形成的氧化物层有关;经腐蚀和退火处理,AlN表面氧化物的含量大幅降低,N/Al摩尔比接近1;经杂质处理后的AlN单晶片可作为同质生长的籽晶。 | 张丽 齐海涛 程红娟 金雷 史月增 | 2019 | 硅酸盐学报2019，47，1： | 2 |
| 18 | 稳态条件下气溶胶粒子在口腔模型中的沉淀率显示文摘以实际人体解剖学数据为基础,利用流体力学软件构建了口腔模型。由于口腔形状不规则,流场中会有湍流产生,所以本文选用的是k-ω方程。在此基础上,假设吸入空气流量为一个常量,改变吸入气体、气溶胶粒子的物理参数,以调整St数的变化,模拟不同情况下气溶胶粒子运动情况。由模拟结果可知:气溶胶粒子在口腔中的沉淀率受粒子半径、密度、及流速的影响,并随这些量的增加而增加;沉淀率可以视作St数的函数,并随St数的增加而增加;气溶胶粒子在口腔中的沉淀分布受模型几何形状和湍流的影响,在喉部附近沉淀较为明显;粒子在口腔中将沿怎样的轨迹运动则取决于粒子在入口处的初始位置。 | 程红娟 张连众 张陈兵 许照锦 叶建 | 2007 | 应用力学学报2007，24，2： | 2 |
| 19 | SiC单晶生长界面形状计算机模型的建立及验证显示文摘利用多物理场耦合模拟软件研究了3英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅(Si C)单晶生长中感应线圈位置对单晶生长系统温度场的影响。分析了感应线圈位置变化对晶体表面径向温度、晶体内部轴向温度以及晶体生长界面形状的影响。同时分析了不同生长时期晶体的界面形状和各向温差的变化规律,建立了3英寸Si C单晶生长界面形状计算机模型,进而将计算机模拟得到的晶体界面形状与单晶生长对照实验获得晶体的界面形状相对比,验证了该模型的可靠性。以此为依据,优化了单晶生长工艺参数,获得了理想的适合3英寸Si C单晶生长的温度场,并成功获得了高质量的3英寸Si C单晶。 | 窦瑛 程红娟 孟大磊 | 2015 | 半导体技术2015，40，11： | 2 |
| 20 | AlN单晶生长行为研究显示文摘本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响。当温差为60℃时,AlN晶体(0001)面生长速率小于(10-10)面,AlN以带状形式生长。将该工艺应用于AlN同质生长中,研究结果表明:温差为60℃时AlN晶体(0001)面呈现畴生长模式,该晶体质量最差;温差为35℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶流生长模式,该晶体质量最优;温差为20℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶簇生长模式,该晶体容易开裂。通过工艺优化最终获得了直径为40 mm AlN单晶衬底,完全满足器件制备需求。 | 程红娟 金雷 武红磊 齐海涛 王增华 史月曾 张丽 | 2020 | 人工晶体学报2020，49，11： | 2 |
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