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| 1 | 射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性显示文摘采用射频 (RF)反应磁控溅射法在n Si(0 0 1)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的 (0 0 2 )衍射峰 ,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。 | 张源涛 李万程 王金忠 杨晓天 马艳 殷宗友 杜国同 | 2003 | 发光学报2003，24，1： | 11 |
| 2 | ZnO薄膜的掺杂特性显示文摘通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在生长过程中通过NH_3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4 sccm,O_2流量为120 sccm,N_2流量为600 sccm,得到在NH_3流量为80 sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH_3流量高于或低于80 sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80 sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密。所以80 sccmNH_3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量。Hall测量结果表明,NH_3流量为50 sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×10^(16)cm^(-3),迁移率为3.6cm^2·V^(-1)·s^(-1);当NH_3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达10~8Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析。 | 刘大力 杜国同 王金忠 张源涛 张景林 马艳 杨晓天 赵佰军 杨洪军 刘博阳 杨树人 | 2004 | 发光学报2004，25，2： | 10 |
| 3 | 合成及薄膜制备条件对CsPbBr3全无机钙钛矿量子点特性的影响显示文摘通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsPbBr3量子点样品,并对所有样品进行了特性表征。随后将所有CsPbBr3量子点样品制备成薄膜,探究其薄膜的光致发光特性。反应温度为180℃、反应时间为5s时所合成的量子点尺寸最小,为9nm;旋涂速度为3000r/min、退火温度为80℃、退火时间为10min时,所制备的薄膜光致发光强度最大。得到了相对最优的CsPbBr3量子点合成条件与CsPbBr3量子点薄膜制备条件。 | 马雪 庄仕伟 韩丽锦 胡大强 张源涛 董鑫 吴国光 张宝林 | 2019 | 发光学报2019，40，8： | 10 |
| 4 | MOCVD法生长ZnO薄膜的结构及光学特性显示文摘采用MOCVD方法在c Al2 O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜 ,采用X射线衍射 (XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱 (XPS)及光致发光 (PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构及光学特性进行分析测试。XRD分析只观察到ZnO薄膜 (0 0 0 2 )衍射峰 ,其FWHM数值为 0 1 84°。Raman散射谱中 ,4 35 32cm- 1 处喇曼峰为ZnO的E2 (high)振动模 ,A1 (LO)振动模位于 5 75 32cm- 1 处。XPS分析表明 :ZnO薄膜表面易吸附游离态氧 ,刻蚀后ZnO薄膜O1s光电子能谱峰位于 5 30 2eV ,更接近Zn—O键中O1s电子结合能 (5 30 4eV)。PL谱中 ,在3 2 8eV处观察到了自由激子发射峰 ,而深能级跃迁峰位于 2 5 5eV ,二者峰强比值为 4 0∶1 。 | 马艳 杜国同 杨天鹏 李万程 张源涛 刘大力 姜秀英 | 2004 | 发光学报2004，25，3： | 9 |
| 5 | 光辅助对MOCVD法制备ZnO薄膜性能的影响显示文摘采用光辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到改善。分析认为,这主要是由于光辅助有助于提高锌有机源的分解效率,并且高能量的光子可为反应吸附的原子提供足够高的激活能,从而易于其迁移到合适的晶格位置所致。同时我们还发现,有光照和无光照条件下制备的ZnO薄膜均呈n型导电,但有光照条件下制备的ZnO薄膜具有更低的本底载流子浓度,这将为日后通过降低自补偿实现p型掺杂提供一个很好的解决办法。 | 李香萍 张宝林 董鑫 张源涛 夏晓川 赵磊 赵旺 马艳 杜国同 | 2008 | 发光学报2008，29，1： | 7 |
| 6 | ZnO基紫外探测器的制作与研究显示文摘利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。 | 杨晓天 刘博阳 马艳 赵佰军 张源涛 杨天鹏 杨洪军 李万程 刘大力 杜国同 | 2004 | 发光学报2004，25，2： | 7 |
| 7 | MOCVD法生长SAWF用ZnO/Diamond/Si多层结构显示文摘使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石 硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料 ,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化。XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长 ,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失 ,同时紫外发射峰增强。对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度。比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线 ,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大。当ZnO薄膜较薄时 ,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近 ,与其他衬底上生长的薄膜相比 ,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜结构 ,声表面波滤波器的中心频率将提高 | 赵佰军 杨洪军 王新强 杨晓天 刘大力 马艳 张源涛 刘博阳 杨天鹏 杜国同 | 2004 | 发光学报2004，25，3： | 6 |
| 8 | MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长显示文摘介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射谱图显示仅在2θ =34.72°处有一个很陡峭的ZnO (0 0 2 )晶面衍射峰 ,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致。此衍射峰的半高宽为 0 .2 82° ,显示出较好的晶体质量。在室温光致发光谱中 ,薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过 10∶1。 | 刘博阳 杜国同 杨小天 赵佰军 张源涛 高锦岳 刘大力 杨树人 | 2004 | 液晶与显示2004，19，2： | 5 |
| 9 | 采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜显示文摘采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜。该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的。与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性。对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层。 | 崔勇国 张源涛 朱慧超 张宝林 李万程 杜国同 | 2005 | 人工晶体学报2005，34，6： | 4 |
| 10 | 非均匀阱宽多量子阱155μm高功率超辐射光源显示文摘采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱 ,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果 ,制得了新型的 1 5 5 μm高功率宽光谱InGaAsP InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量子阱器件的输出光谱有很大变化 ,光谱半宽由原来的 2 0~ 30nm ,增加到 4 5~ 6 0nm左右。该器件同样具有较好的抑制激射能力 ,在可测试范围内 ,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下未见激射模式的出现。在准连续工作条件下 ,器件最大峰值功率已达到 15 0mW以上。 | 刘杨 宋俊峰 曾毓萍 吴宾 张源涛 许呈栋 杜国同 | 2003 | 中国激光2003，30，2： | 4 |
| 11 | 上倾管道充气排液过程两相流动特性显示文摘在直径为40 mm、倾斜角为20°的管道内,以空气、水为试验介质,利用高速摄影仪和数据采集仪对上倾管道充气排液过程气液两相流动特性进行研究。建立跟随气泡和领先气泡速度比与气泡距离的关系,对比不同入口气体流速下管道内部压力、流量、气泡变化特性。结果表明,充气排液过程分为4个阶段,气体侵入和气液喷发阶段是气液混合物产生阶段,此阶段上倾管内流型以段塞流为主。管道底部压力和出口流量随气体流速的增大而增大,排空时间随气体流速的增大而减小。气体侵入过程气泡呈合并趋势,入口气速越大气泡越长,形状越不规则,领先气泡的速度和液体速度呈线性关系。Hout公式与本文中拟合公式最为接近。 | 郭芮 张伟明 姜俊泽 李江 张源涛 | 2017 | 中国石油大学学报(自然科学版)2017，41，5： | 4 |
| 12 | 两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜显示文摘为获得高质量的β-Ga 2O 3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga 2O 3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比与分析。结果表明,950℃下GaN薄膜无法完全氧化,而直接1 150℃氧化得到的样品并没有明显的晶向。相比之下,通过两步氧化法,GaN薄膜被完全氧化,且得到的β-Ga 2O 3薄膜具有明显的沿<2 01>方向的晶向,样品表面显示出明显的纳米线结构。最佳的氧化时间为在950℃下氧化3 h之后在1 150℃下氧化1 h,此时得到样品的纳米线结构最明显,其纳米线的直径约为30~40 nm。拉曼光谱测试证实了该条件下获得的样品具有较高的晶体质量。通过分析不同样品结构以及形貌特性,我们发现不同温度下的不同氧化模式是导致该结果的主要原因。 | 李赜明 余烨 焦腾 胡大强 董鑫 李万程 张源涛 吕元杰 冯志红 张宝林 | 2019 | 发光学报2019，40，10： | 4 |
| 13 | ZnO薄膜的光抽运紫外激射显示文摘采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜 ,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象。在不同激发强度下进行了光荧光谱测量 ,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直线增强 ,证明此紫外发光峰来源于带边自由激子辐射复合。激发的激光器为 3倍频YAG激光器 ,脉宽 15ps,每秒 10个脉冲。抽运光达到样品的光斑直径约为 2 5 μm ,激射阈值为 0 .2 8μJ ,利用光纤连接到CCD来探测接收激射光。在 385~ 390nm之间的激射峰 ,其半峰全宽为 0 .0 3nm。所观察到的激射没有固定的方向 ,也就是说是往各个方向发射的。对于ZnO薄膜 ,由于我们并没有制作通常激光器的谐振腔 。 | 刘大力 杜国同 张源涛 王新强 杨天鹏 杨晓天 赵佰军 杨洪军 刘博阳 张景林 | 2004 | 发光学报2004，25，4： | 4 |
| 14 | RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响显示文摘采用RF磁控溅射法在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜。研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响。样品的XRD图谱显示了强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。比较不同条件下制备的ZnO薄膜,研究发现当氧气和氩气的流量比相同时,随着溅射功率的增加,样品的(002)衍射峰增强,半高全宽变小。而当溅射功率相同时,随着氧气和氩气的流量比增加,样品的(002)衍射峰也增强,半高全宽同样变小。此外,本文还分析了溅射工艺和薄膜晶体质量之间关系,发现在相同的功率条件下,溅射率低时晶粒尺寸更大且薄膜的结晶性更好。 | 张源涛 殷宗友 杨树人 马艳 杜国同 | 2002 | 光子学报2002，31，0Z2： | 4 |
| 15 | Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes显示文摘In order to suppress the electron leakage to p-type region of near-ultraviolet GaN/In_xGa_(1-x )N/GaN multiple-quantumwell(MQW) laser diode(LD), the Al composition of inserted p-type AlxGa_(1-x)N electron blocking layer(EBL) is optimized in an effective way, but which could only partially enhance the performance of LD. Here, due to the relatively shallow GaN/In_(0.04)Ga_(0.96)N/GaN quantum well, the hole leakage to n-type region is considered in the ultraviolet LD. To reduce the hole leakage, a 10-nm n-type Al_xGa_(1-x)N hole blocking layer(HBL) is inserted between n-type waveguide and the first quantum barrier, and the effect of Al composition of Al_xGa_(1-x)N HBL on LD performance is studied. Numerical simulations by the LASTIP reveal that when an appropriate Al composition of Al_xGa_(1-x)N HBL is chosen, both electron leakage and hole leakage can be reduced dramatically, leading to a lower threshold current and higher output power of LD. | 邢瑶 赵德刚 江德生 李翔 刘宗顺 朱建军 陈平 杨静 刘炜 梁锋 刘双韬 张立群 王文杰 李沫 张源涛 杜国同 | 2018 | Chinese Physics B2018，27，2： | 3 |
| 16 | 温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响显示文摘采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜。最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量。 | 崔夕军 庄仕伟 张金香 史志锋 伍斌 董鑫 张源涛 张宝林 杜国同 | 2015 | 发光学报2015，36，4： | 3 |
| 17 | LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究显示文摘采用低压-金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)在(100)p-Si衬底上制备未掺杂n型ZnO薄膜,并制作了相应的n-ZnO/p-Si异质结器件。通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和霍尔测试分别研究了所制备薄膜的结构、光学和电学特性,得到具有较高质量的n型ZnO薄膜。在室温条件下,测得了该类异质结器件正向注入电流下可见光和近红外区域的电致发光(EL)。 | 李香萍 张宝林 申人升 张源涛 董鑫 夏晓川 | 2009 | 光电子.激光2009，20，5： | 3 |
| 18 | 基于CATIA的某型加油车维修可视性分析方法研究显示文摘针对装备维修性重要指标之一的维修部件可视性,提出了利用CATIA视野分析功能进行可视性分析的新方法,并以某型加油车为例,具体介绍了其分析过程,为该车的维修性评价提供了依据,也为其他装备的可视性分析提供了一种新的方法。 | 张源涛 马振利 | 2010 | 装备制造技术2010，，6： | 3 |
| 19 | 红土高原上飞翔的无人机——云南地质灾害无人机测绘保障工作纪实显示文摘云南地处印度板块与欧亚板块结合部位,地质环境复杂、脆弱,加之雨量充沛以及特殊地理环境的多样性,为崩塌、滑坡、泥石流等地质灾害提供了必要的形成条件,导致云南地质灾害多发易发频发,是全国地质灾害最为严重的省份之一。面对这一严峻现实,云南省自然资源部门充分发挥测绘地理信息技术优势,在防灾减灾及灾后重建工作中发挥了重要作用,无人机无疑是其中一支不可忽视且日益重要的力量。 | 宋红霞 张源涛(图) | 2020 | 中国测绘2020，，7： | 3 |
| 20 | 声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长显示文摘ZnO films with <110> orientation were grown on R-Al 2O 3 substrates by LP-MOCVD, and the growth temperature was optimized. The quality of crystal, surface morphology and optical characteristic of the samples were investigated by XRD, AFM and PL method. The experimental results show that the FWHM of the optimized sample is only 0.50°. Compared with that of the sample grown on C-Al 2O 3 material under the same conditions, the surface morphology of the first sample is denser and smooth, while the PL spectra indicate that the exciton emitting intensity of <110> oriented ZnO film in the ultraviolet range is lower. However, the deep-level emission related to the intrinsic defects disappears in the spectrum. All above indicate that the <110> oriented ZnO film is more suitable for fabrication of the film SAWF with a low loss and a high frequency than for fabrication of the emitting device in ultraviolet range. | 赵佰军 杜国同 王金忠 杨洪军 张源涛 杨小天 马艳 刘博阳 杨天鹏 刘大力 | 2003 | 高等学校化学学报2003，24，10： | 3 |
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