|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | 盐度效应对营养盐测定之影响[J]显示文摘 | 钟仕伟 温良硕 庄佳颖 等 | 2001 | 化学2001，59，3： | 1 |
| 2 | 生长温度对MOCVD外延Zn O纳米结构的影响显示文摘为了探究生长温度对外延Zn O纳米结构的影响,得到Zn O纳米结构可控生长的生长温度条件。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,设计并获得了不同生长温度的Zn O外延样品,并对所有样品进行了表面形貌、光学特性、电学特性表征和结晶质量表征。实验结果表明:600℃生长的Zn O纳米柱横向尺寸最小,为65 nm左右,其光学特性也相对较好,晶体衍射峰的半峰宽最小,为0. 165°,晶粒尺寸最大,为47. 6 nm;电学性质相对最优的为640℃生长的Zn O样品,霍尔迁移率高达23. 5 cm^2/(V·s)。通过结果分析发现,生长温度能影响外延Zn O的生长模式,从而影响Zn O的形貌、光学、电学和晶体质量等特性。 | 徐德前 庄仕伟 马雪 徐佳新 张宝林 | 2018 | 发光学报2018，39，10： | 3 |
| 3 | 压强对GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响显示文摘采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在Ga As(001)衬底上制备Ga Sb量子点,研究了反应室压强对改善Ga Sb/Ga As量子点形貌各向异性的影响。通过Sb表面处理方法,在Ga As衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层,实现以界面失配(IMF)生长模式对Ga Sb量子点诱导生长。用原子力显微镜(AFM)对各样品的量子点形貌进行了表征,结果表明Ga Sb量子点形貌各向异性明显且沿[110]方向拉长。在压强条件为10 k Pa时,IMF生长模式导致不对称岛的长宽比大于3,由于低能量(111)侧面的存在,Ga Sb量子点优先沿[110]方向生长而不是与之垂直的[110]方向。压强降低至4 k Pa时量子点密度增大为8. 3×109cm-2,量子点形貌转变为对称的半球形且长宽比约为1。低的压强降低了吸附原子的扩散激活能从而增大了扩散长度,可以有效改善Ga Sb量子点的各向异性。 | 徐德前 徐佳新 庄仕伟 李国兴 张宝林 | 2019 | 发光学报2019，40，1： | 1 |
| 4 | 面向复杂工况的液力变矩器与变速箱效能优化协同控制策略显示文摘针对工程机械在复杂工况下能源利用率不高的问题,提出了一种液力变矩器与变速箱效能优化协同控制策略。首先,在装载机功率与力学平衡的基础上,构造了基于牵引性能理论的装载机动力传动系统仿真平台,并通过装载机循环工况采集到的实验数据验证了其有效性和可靠性;其次,基于发动机与液力变矩器台架实验,研究了ZL50型装载机的牵引特性,对比了其在起步、举升、铲掘、匀速4种不同牵引阶段的动力性能,分析了液力变矩器的闭锁点对装载机动力性、平顺性和经济性的影响;最后,提出了面向复杂工况的液力变矩器与变速箱效能优化协同控制策略,并对优化前后的装载机效能进行了对比分析。研究结果表明:在相同的V型循环工况下,采用所提出的控制策略,装载机等油耗输出能量从372.69 kW·h·mL^(-1)提高到420.51 kW·h·mL^(-1),整机效能提高了约12.8%。所提策略可为大型工程机械传动效率低、燃料消耗大、污染排放严重等问题提供解决方案。 | 张泽宇 惠记庄 许仕伟 耿麒 卜正锋 | 2024 | 西安交通大学学报2024，58，2： | 0 |
| 5 | 退火对Ga_2O_3薄膜特性的影响显示文摘采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga_2O_3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,研究了各类退火工艺对Ga_2O_3薄膜特性的影响,对退火所得的薄膜进行了X射线衍射、光致发光谱、紫外透射谱和原子力显微镜扫描的研究。结果表明,各类退火工艺均能够优化薄膜的晶体质量和表面形貌,同时有效改善了薄膜的光学性质。其中,氧气退火后的样品在可见光波段透射率高达83%,且吸收边更加陡峭;表面粗糙度降至0.564 nm,其表面更为平整。这些结果说明氧气退火对晶体质量的提高最为显著。氮气、真空退火的样品在光致发光谱中出现365 nm的发光峰,这是大量氧空位的存在导致的。 | 马征征 董鑫 庄仕伟 许恒 胡大强 | 2017 | 发光学报2017，38，5： | 11 |
| 6 | 优质水稻新品种国丝早占41和国丝早占53的选育显示文摘国丝早占41和国丝早占53是用国际油占与增城丝苗831突变品系杂交,经3年6代选育而成的早晚兼用高产优质水稻新品种。这两个品种早熟、高抗稻瘟病、耐肥抗倒性强、稳产性好、米饭软硬适中有饭味且带有清香,为同型号异构体水稻新品种,可在广州地区推广种植。 | 曾志忠 庄必海 陆仕伟 曹裕汉 曹湛才 彭增明 | 2004 | 广东农业科学2004，31，4： | 0 |
| 7 | Nanodots and microwires of ZrO_2 grown on LaAlO_3 by photo-assisted metal–organic chemical vapor deposition显示文摘ZrO_2 nanodots are successfully prepared on LaAlO_3(LAO)(100) substrates by photo-assisted metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD). It is indicated that the sizes and densities of ZrO_2 nanodots are controllable by modulating the growth temperature, oxygen partial pressure, and growth time. Meanwhile, the microwires are observed on the surfaces of substrates. It is found that there is an obvious competitive relationship between the nanodots and the microwires. In a growth temperature range from 500℃ to 660℃, the microwires turn longest and widest at 600℃, but in contrast, the nanodots grow into the smallest diameter at 600℃. This phenomenon could be illustrated by the energy barrier, decomposition rate of Zr(tmhd)_4, and mobility of atoms. In addition, growth time or oxygen partial pressure also affects the competitive relationship between the nanodots and the microwires. With increasing oxygen partial pressure from 451 Pa to 75_2 Pa,the microwires gradually grow larger while the nanodots become smaller. To further achieve the controllable growth, the coarsening effect of ZrO_2 is modified by varying the growth time, and the experimental results show that the coarsening effect of microwires is higher than that of nanodots by increasing the growth time to quickly minimize ZrO_2 energy density. | 郭峰 汪薪生 庄仕伟 李国兴 张宝林 周本初 | 2016 | Chinese Physics B2016，25，2： | 0 |
| 8 | 合成及薄膜制备条件对CsPbBr3全无机钙钛矿量子点特性的影响显示文摘通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsPbBr3量子点样品,并对所有样品进行了特性表征。随后将所有CsPbBr3量子点样品制备成薄膜,探究其薄膜的光致发光特性。反应温度为180℃、反应时间为5s时所合成的量子点尺寸最小,为9nm;旋涂速度为3000r/min、退火温度为80℃、退火时间为10min时,所制备的薄膜光致发光强度最大。得到了相对最优的CsPbBr3量子点合成条件与CsPbBr3量子点薄膜制备条件。 | 马雪 庄仕伟 韩丽锦 胡大强 张源涛 董鑫 吴国光 张宝林 | 2019 | 发光学报2019，40，8： | 10 |
| 9 | 温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响显示文摘采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜。最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量。 | 崔夕军 庄仕伟 张金香 史志锋 伍斌 董鑫 张源涛 张宝林 杜国同 | 2015 | 发光学报2015，36，4： | 3 |
| 10 | GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制显示文摘为提高InSb红外探测器室温下的工作性能,设计了GaSb/InSb/InP异质结构,并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究。利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模,分析得到能带结构与载流子分布。以能带参数为基础,根据连续性方程,结合漂移扩散模型,分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应,并综合肖克莱-瑞德复合的影响,计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制备GaSb/InSb/InP异质外延样品,对其漏电流进行测试,并与仿真结果进行对比分析。实验结果表明,计算结果与实验结果一致,器件工作性能的主要限制为肖克莱-瑞德复合机制,器件的漏电流为0.26 A·cm^(-2),品质因子R_0A为0.1Ω·cm^2。相比于同质InSb结构,器件的R_0A提高了一个数量级,已接近实用化水平。 | 徐佳新 徐德前 庄仕伟 李国兴 张源涛 董鑫 吴国光 张宝林 | 2018 | 发光学报2018，39，8： | 0 |
| 11 | Temperature-dependent photoluminescence on organic inorganic metal halide perovskite CH3NH3Pb I3-xClx prepared on ZnO/FTO substrates using a two-step method显示文摘Temperature-dependent photoluminescence characteristics of organic-inorganic halide perovskite CH_3NH_3Pb I_(3-x)Cl_x films prepared using a two-step method on ZnO/FTO substrates were investigated. Surface morphology and absorption characteristics of the films were also studied. Scanning electron microscopy revealed large crystals and substrate coverage. The orthorhombic-to-tetragonal phase transition temperature was^140 K. The films' exciton binding energy was 77.6 ± 10.9 meV and the energy of optical phonons was 38.8 ± 2.5 meV. These results suggest that perovskite CH_3NH_3Pb I_(3-x)Cl_x films have excellent optoelectronic characteristics which further suggests their potential usage in perovskitebased optoelectronic devices. | 庄仕伟 徐德前 徐佳新 伍斌 张源涛 董鑫 李国兴 张宝林 杜国同 | 2017 | Chinese Physics B2017，26，1： | 2 |
| 12 | Effect of hydrogen content on dielectric strength of the silicon nitride film deposited by ICP-CVD显示文摘The inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD) deposited silicon nitride(SiN_(x)) thin film was evaluated for its application as the electrical insulating film for a capacitor device.In order to achieve highest possible dielectric strength of SiN_(x),the process parameters of ICP-CVD were carefully tuned to control hydrogen in SiN_(x) films by means of tuning N_(2)/SiH_(4) ratio and radio frequency(RF) power.Besides electrical measurements,the hydrogen content in the films was measured by dynamic secondary ion mass spectrometry(D-SIMS).Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) and micro Raman spectroscopy were used to characterize the SiN_(x) films by measuring Si-H and N-H bonds’ intensities.It was found that the more Si-H bonds lead to the higher dielectric strength. | 张玉栋 唐家乐 胡永杰 袁杰 管路路 李星雨 崔虎山 丁光辉 石新颖 许开东 庄仕伟 | 2021 | Chinese Physics B2021，30，4： | 0 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员